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机构
上海技术物理研究所 [7]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
学位论文 [6]
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [1]
2010 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
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学科主题
红外探测材料与器件 [4]
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
红外基础研究 [1]
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AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
潘旭
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提交时间:2012/06/05
AlxGa1-xN三元合金
高Al组分
紫外探测器
金属有机物化学气相外延
Si基GaN
纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷豪
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/09/11
扫描探针显微方法
载流子
Ingaas红外探测器
Gan紫外探测器
电子学分布
平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
包西昌
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提交时间:2012/09/11
平面型gan基紫外探测器
器件制备
离子注入
电容特性
负微分电容
GaN基紫外探测器辐照效应的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
白云
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提交时间:2012/08/14
Gan基材料
紫外探测器
Pin
电子辐照
质子辐照
Γ辐照
GaN紫外及HgCdTe红外探测器的表面与界面研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
汤英文
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提交时间:2012/07/11
Gan
Hgcdte
表面处理
欧姆接触
光化学腐蚀
紫外探测器
红外探测器
GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
亢勇
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提交时间:2012/07/11
Gan基阵列紫外探测器
器件制备
Icp干法刻蚀
结电容频率特性
内量子效率
GaN}基RCE紫外探测器
期刊论文
OAI收割
红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 37-42
作者:
何政
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提交时间:2011/11/14
Gan
Rce
紫外探测器
GaN基紫外探测器
期刊论文
OAI收割
红外, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 23-27
作者:
李雪
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提交时间:2011/11/14
日盲特性
Gan基紫外探测器