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• 上海微系统与信息技术... [1]

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• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248 Cheng,XL; Chen,ZJ; Wang,YJ; Jin,B; Zhang,F; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  HIGH-GE FRACTION  STRAINED-SI  INSULATOR SUBSTRATE  N-MOSFETS  ELECTRON  ULTRATHIN