机构

• 上海应用物理研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 广州能源研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [3]
• 2012 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Highly luminescent CsPbI3 quantum dots and their fast anion exchange at oil/water interface 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 741, 页码: 6 作者:  He, Kun;  Zhu, Yanqing;  Bi, Zhuoneng;  Chen, Xiaoli;  Xiao, Xiudi   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/10/29 CsPbX3  Quantum dots  Anion exchange  Hot-injection  Photoluminescence   Precursor Self-Assembly Identified as a General Pathway for Colloidal Semiconductor Magic-Size Clusters 期刊论文  OAI收割 ADVANCED SCIENCE, 2018, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: - 作者:  Wang, LX;  Hui, J;  Tang, JB;  Rowell, N;  Zhang, BW   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/12/17 NONINJECTION ONE-POT  QUANTUM DOTS  MULTIPLE FAMILIES  CDSE NANOCRYSTALS  ZNSE NANOCRYSTALS  2-STEP NUCLEATION  HOT-INJECTION  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  NANOPARTICLES   Achieving High-Performance Surface-Enhanced Raman Scattering through One-Step Thermal Treatment of Bulk MoS2 期刊论文  OAI收割 Journal of Physical Chemistry C, 2018, 卷号: 122, 期号: 26, 页码: 14467-14473 作者:  Yang, D. D.;  Qiu, W.;  Chen, X. J.;  Liu, L.;  Lai, Y. J.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/09/17 augmented-wave method  monolayer mos2  layer mos2  bilayer graphene  sers detection  hot-spots  films  molecules  photoluminescence  nanoparticles  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science   Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 10, 页码: 2041 Huang, SL; Ji, ZW; Zhao, MW; Zhang, L; Guo, HY; Liu, BL; Xu, XG; Guo, QX 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HOT-WALL EPITAXY  ZINC TELLURIDE  SURFACE-MORPHOLOGY  PHOTOLUMINESCENCE  STRAIN  LAYERS  LUMINESCENCE  ACCEPTOR  DEFECTS   Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING