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宁波材料技术与工程研... [1]
上海微系统与信息技术... [1]
近代物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2009 [1]
学科主题
Physics, A... [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature
期刊论文
OAI收割
MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24
作者:
Wang, Tao
;
Yang, Zhen
;
Li, Bingsheng
;
Xu, Shuai
;
Liao, Qing
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/12/01
SILICON-CARBIDE
ON-INSULATOR
HYDROGEN IMPLANTATION
SURFACE EXFOLIATION
BUBBLE FORMATION
ION-CUT
IRRADIATION
HELIUM
WAFERS
H+
Study on vacancy-type defects in SIMP steel induced by separate and sequential H and He ion implantation
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2019, 卷号: 520, 页码: 131-139
作者:
Zhang, Tongmin
;
Wang, Zhiguang
;
Cao, Xingzhong
;
Lu, Eryang
;
Jin, Shuoxue
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2019/11/10
Helium/hydrogen implantation
Positron annihilation
Vacancy defects
SIMP steel
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES