机构

• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121 作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/10/18 Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor