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• 近代物理研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2017 [3]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Degradation mechanisms of optoelectric properties of GaN via highly-charged Bi-209(33+) ions irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 440, 页码: 814-820 作者:  Xian, Y. Q.;  Zhang, L. Q.;  Li, J. Y.;  Su, C. H.;  Chen, Y. G.   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/05/22 GaN  Highly-charged bismuth-ion irradiation  Raman spectrum  Varying temperature photoluminescence (PL) spectrum  Optoelectric properties   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 571-577 作者:  Li, Jj.;  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Song, Y.;  Yan, T. X.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/08 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割 作者:  Song, Y.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Xu, C. L.;  Li, Jj.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割 作者:  Yang, Y. T.;  Li, J. Y.;  Liu, H. P.;  Ding, Z. N.;  Yan, T. X.   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL