机构

• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

学科主题

• Physics, A... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 19, 页码: 194101-194101 Di, ZF; Huang, MQ; Wang, YQ; Nastasi, M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 SINGLE-CRYSTAL SILICON  INDUCED PLATELETS  IMPLANTATION  SI  TEMPERATURE  EXFOLIATION  COMPLEXES  FLUENCE  CUT