机构

• 物理研究所 [2]
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• 金属研究所 [1]
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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2020 [2]
• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• Physics [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li   |  收藏  |   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |   Multiferroicity: the coupling between magnetic and polarization orders 期刊论文  OAI收割 Advances in Physics, 2009, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 321-448 K. F. Wang; J. M. Liu; Z. F. Ren 收藏  |   The 30 degrees rotation domains in wurtzite ZnO films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 631 Liu, YZ; Ying, MJ; Du, XL; Jia, JF; Xue, QK; Han, XD; Zhang, Z 收藏  |   Atomistic study of GaN surface grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK 收藏  |