机构

• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1998 [1]

学科主题

• Physics, A... [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of the addition of Co and Ni on the formation of epitaxial semiconducting beta-FeSi2: Comparison of different evaporation methods 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4193-4201 Mangelinck, D; Wang, L; Lin, C; Gas, P; Grahn, J; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/25 ION-BEAM SYNTHESIS  SOLID-PHASE EPITAXY  THIN-FILM FORMATION  OPTICAL-PROPERTIES  IRON SILICIDES  ELECTRONIC-STRUCTURE  SILICON  COBALT  GROWTH  IMPLANTATION