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In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究 期刊论文  OAI收割
低温物理学报, 2014, 期号: 6, 页码: 450-454
作者:  
宋航;  蒋红
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Response spectrum 0.9-2.65 m of In0.82Ga0.18As detectors by two-step growth technique (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割
2012 International Conference on Material Sciences and Manufacturing Technology, ICMSMT 2012, October 5, 2012 - October 6, 2012, Dalian, China
作者:  
Zhang T.
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利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616
作者:  
缪国庆
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