机构

• 新疆理化技术研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 150 KeV proton irradiation effects on photoluminescence of GaInAsN bulk and quantum well structures 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 1-6 作者:  Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, A.)[ 2,3 ];  Sailai, M (Sailai, M.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 2,4 ];  Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/10 Dilute nitride  InGaAsN  Proton irradiation  Degradation  PL spectra   Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：114/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS