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Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121
作者:  
Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G.
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2017/10/18
Self-assembled transparent a-IGZO based TFTs for flexible sensing applications 会议论文  OAI收割
AUG 22-24, 2014
作者:  
Yun, Feng;  Liu, Yanghui;  Li, Yuanjie;  Li, YJ;  Wan, Qing
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2018/01/12