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正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤 期刊论文  OAI收割
核技术, 2010, 期号: 5, 页码: 357-361
作者:  
郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿
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JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文  OAI收割
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
作者:  
陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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