机构

• 金属研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structure and photoluminescence properties of the quasi-regular arrangements of porous silicon 期刊论文  OAI收割 Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 5-6, 页码: 495-498 T. Wang; X. Li; W. Feng; W. Li; C. Tao; J. Wen 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/13 Porous silicon  Electrochemical anodization  Quasi-regular arrangement  Photoluminescence  p-type silicon  macroporous silicon  si substrate  alumina   Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006 Jiang YC (Jiang Y. C.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang LJ (Wang L. J.); Yin W (Yin W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/12/28 MACROPOROUS SILICON  PORE FORMATION  GAP  INP  AL0.48IN0.52AS  NANOSTRUCTURES  MORPHOLOGY