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机构
金属研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Structure and photoluminescence properties of the quasi-regular arrangements of porous silicon
期刊论文
OAI收割
Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 5-6, 页码: 495-498
T. Wang
;
X. Li
;
W. Feng
;
W. Li
;
C. Tao
;
J. Wen
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/13
Porous silicon
Electrochemical anodization
Quasi-regular arrangement
Photoluminescence
p-type silicon
macroporous silicon
si substrate
alumina
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Yin W (Yin W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2010/12/28
MACROPOROUS SILICON
PORE FORMATION
GAP
INP
AL0.48IN0.52AS
NANOSTRUCTURES
MORPHOLOGY