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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

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• OAI收割 [1]

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• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  MIS-HEMT  LPCVD  silicon nitride  gate dielectric