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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
OAI收割
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS