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宁波材料技术与工程研... [1]
上海应用物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [2]
学科主题
Materials ... [1]
Physics [1]
Science & ... [1]
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共2条,第1-2条
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Evolutions of morphology and electronic properties of few-layered MoS2 exposed to UVO
期刊论文
OAI收割
RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 页码: -
作者:
Liu, JX
;
Sun, KL
;
Zheng, XM
;
Wang, ST
;
Lian, SC
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提交时间:2021/09/06
TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES
MONOLAYER MOS2
PHOTOLUMINESCENCE
TRANSISTORS
BULK
WSE2
First-principles investigations on MXene-blue phosphorene and MXene-MoS(2)transistors
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2020, 卷号: 31, 期号: 39
作者:
Zhou, Yuhong
;
Zhuge, Xia
;
An, Peng
;
Du, Shiyu
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提交时间:2020/12/16
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MONOLAYER WSE2
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