机构

• 金属研究所 [2]
• 化学研究所 [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2014 [1]
• 2003 [1]
• 1994 [1]
• 1993 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Quantitative Femtosecond Charge Transfer Dynamics at Organic/Electrode Interfaces Studied by Core-Hole Clock Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: 26, 期号: 46, 页码: 7880—7888 Cao, L; Gao, XY; Wee, ATS; Qi, DC 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/03/13 SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS  ENERGY-LEVEL ALIGNMENT  ORGANIC HETEROJUNCTION INTERFACES  FREE-ELECTRON LASER  RESONANT PHOTOEMISSION  MOLECULAR-ORIENTATION  METAL  TRANSISTORS  SYSTEMS  SEMICONDUCTOR   Metal-containing molecular wires and their electron transportation properties 期刊论文  OAI收割 SYNTHETIC METALS, 2003, 卷号: 135, 期号: 1-3, 页码: 239-240 作者:  Lin, HW;  Wang, XH;  Zhao, XJ;  Li, J;  Wang, FS   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/09 Self-assembly Using Surface Chemistry  Electrochemical Methods  Coupling Reactions  Metal/semiconductor Interfaces   CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文  OAI收割 Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737 S. X. Jin; M. H. Yuan; L. P. Wang; H. Z. Song; H. P. Wang; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/14 schottky barrier (sb)  metal-semiconductor (ms) interfaces  hydrogen  zero bias annealing (zba)  reverse bias annealing (rba)  unified defect model  crystalline semiconductors  states   EFFECT OF REVERSE-BIAS ANNEALING AND ZERO-BIAS ANNEALING ON A HYDROGEN-CONTAINING AU/(N-TYPE GAAS) SCHOTTKY-BARRIER 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 1993, 卷号: 48, 期号: 24, 页码: 17986-17994 M. H. Yuan; H. Z. Song; S. X. Jin; H. P. Wang; Y. P. Qiao; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/14 metal-semiconductor interfaces  electrical-properties  110 surfaces  n-type  states  diodes  contacts  height  model  heterojunctions