机构

• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2009 [2]

学科主题

• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 288, 期号: 0, 页码: 482-487 作者:  Yang, H(杨辉);  Zhao, YM(赵勇明);  Yu, SZ(于淑珍);  Dong, JR(董建荣) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/01/13 Metamorphic buffer  Strain relaxation  Si doping  Dislocation multiplication  Phase separation   Long-wavelength emission inas quantum dots grown on ingaas metamorphic buffers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Wu, B. P.;  Wu, D. H.;  Xiong, Y. H.;  Huang, S. S.;  Ni, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Metamorphic buffer  Molecular beam epitaxy   Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 期刊论文  OAI收割 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 InAs Quantum Dots  Metamorphic Buffer  Molecular Beam Epitaxy