机构

• 上海应用物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2008 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 原位聚合碳掺杂改性石墨态氮化碳光催化活性研究 期刊论文  OAI收割 影像科学与光化学, 2015, 期号: 5 洪星星; 康向东; 刘岗; 成会明 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2016/04/19 光催化  g-C3N4  掺杂  空位  聚乙二醇   Hastelloy-N合金的重离子辐照研究 会议论文  OAI收割 第十二届全国正电子谱学会议, 中国山东烟台 刘可; 包良满; 徐良; 李晓林; 张桂林; 李燕 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/03/13 Hastelloy-N  重离子辐照  辐照剂量  固溶处理  磨抛  综合研究  辐照实验  纳米压痕  空位团  光后   Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究 会议论文  OAI收割 2012 林建波; 何上明; 李爱国; 余笑寒; 曹兴忠; 王宝义; 李卓昕 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/11 Hastelloy N合金  辐照损伤  位错  缺陷  空位  正电子湮灭寿命   凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 5，2326-2330 作者:  刘果果;  黄俊;  魏珂;  刘新宇;  和致经   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/05/27 Gan  干法刻蚀  栅漏电 退火  N空位  半导体器件