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• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Fabrication of device-grade silicon-on-insulator material from appropriate matches of low oxygen implantation dose and acceleration energy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2003, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2001-2010 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Yi, WB; Liu, XH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 OXIDATION ITOX PROCESS  BURIED OXIDE LAYERS  SIMOX WAFERS  ION-IMPLANTATION  TEMPERATURE  SEPARATION