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MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS 期刊论文  OAI收割
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994, 1995, 期号: 141, 页码: 603-606
WEI,GY; PENG,RW; WU,W
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2012/03/25