机构

• 物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement of YBCO Thin Film Thermal Stability under 1 ATM Oxygen Pressure by Intermediate Cu2O Nanolayer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2010, 卷号: 114, 期号: 22, 页码: 7543 Cheng, L; Wang, X; Yao, X; Wan, W; Li, FH; Xiong, J; Tao, BW; Jirsa, M 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 LIQUID-PHASE EPITAXY  PREFERENTIAL GROWTH-MECHANISM  MGO SUBSTRATE  SUPERCONDUCTIVITY  ENERGY  SYSTEM   Intrinsic structure and thermal stability of YBCO thin film 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 16 Wang, X; Cai, YQ; Yao, X; Wan, W; Li, FH; Xiong, J; Tao, BW 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/18 LIQUID-PHASE EPITAXY  PREFERENTIAL GROWTH-MECHANISM  MGO SUBSTRATE  CRYSTAL  TEMPERATURE  PARTICLES   Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 作者:  Zhao, Yongmei;  Sun, Guosheng;  Liu, Xingfang;  Li, Jiaye;  Zhao, Wanshun 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminum nitride  Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)  V/iii ratio  Preferential orientation growth mechanism   Preferential orientation growth of AIN thin films on Si (111) substrates by LP-MOCVD 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Luo, MC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminum nitride  low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD)  V/III ratio  preferential orientation growth mechanism