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Lateral range spread of MeV phosphorus ions implanted in silicon measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1997, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 273
Shi, BR; Cue, N; Smith, TL; Xu, TB
收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2013/09/18