机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2000 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE