机构

• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution   Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 H. Cheng; A. M. Wu; J. Q. Xiao; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/13 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  chemical-vapor-deposition  ar-diluted sih4  microcrystalline silicon  optical-properties  h films  plasma  pecvd  hydrogen  silane   Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692 H. Cheng; A. M. Wu; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 Ar flow rate  ECR-PECVD  Poly-Si  Thin Films  chemical-vapor-deposition  microcrystalline silicon  low-temperatures  plasma  growth  transition  hydrogen