机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]

学科主题

• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Tang Hai-Ma;  Zheng Zhong-Shan;  Zhang En-Xia;  Yu Fang;  Li Ning 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Separation by oxygen implantation  Buried oxide  Nitrogen implantation  Positive charge density   Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：105/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER