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• 长春光学精密机械与物... [2]
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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2018 [2]
• 2016 [1]
• 2011 [1]

学科主题

• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文  OAI收割 Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090 作者:  Xu, H.;  Han, D.;  Bao, Y.;  Cheng, F.;  Ding, Z. J.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 Two-dimensional materials  MoSv phase transition  quantum spin Hall  effect (QSH)  scanning tunneling microscopy (STM)  single-layer mos2  generalized gradient approximation  transition-metal  dichalcogenides  molybdenum-disulfide  nanosheets  monolayer  stabilization  intercalation  1t-mos2  mote2  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics   Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文  OAI收割 Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090 作者:  Xu, H.;  Han, D.;  Bao, Y.;  Cheng, F.;  Ding, Z. J.   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/09/17 Two-dimensional materials  MoSv phase transition  quantum spin Hall  effect (QSH)  scanning tunneling microscopy (STM)  single-layer mos2  generalized gradient approximation  transition-metal  dichalcogenides  molybdenum-disulfide  nanosheets  monolayer  stabilization  intercalation  1t-mos2  mote2  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics   Manipulating interface states in monolayer-bilayer graphene planar junctions 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2016, 卷号: 28, 期号: 18, 页码: 185001 作者:  Xu, L;  Zhang, J (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, State Key Lab Theoret Phys, Beijing 100190, Peoples R China.;  Zhang, J (reprint author), Xinjiang Univ, Sch Phys Sci & Technol, Urumqi 830046, Peoples R China.;  Zhao, F;  Zhang, J   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/10/13 Monolayer-bilayer Graphene Planar Junction  Quantum Hall Effect  Quantum Spin Hall Effect   Effect of transverse electric field on helical edge states in a quantum spin-hall system 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Liu, Genhua;  Zhou, Guanghui;  Chen, Yong-Hai 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Cadmium compounds  Ii-vi semiconductors  Mercury compounds  Quantum hall effect  Semiconductor quantum wells  Spin hall effect  Wide band gap semiconductors