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采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN based UV-LEDs with Ni/Au Nanomeshes as Transparent p-type Electrodes 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 卷号: 216, 期号: 4 作者:  Sheikhi, Moheb;  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Wu, Sudong;  Yang, Xi   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/18 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  LIGHT-EMITTING-DIODES  HIGH-PERFORMANCE  FILMS  UNIFORM   MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   Fabrication and characterization of high quality n-ZnO/p-GaN heterojunction light emission diodes 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 520, 期号: 1, 页码: 445 Zheng, H; Mei, ZX; Zeng, ZQ; Liu, YZ; Guo, LW; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z; Du, XL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 EMITTING-DIODES  ROOM-TEMPERATURE  OHMIC CONTACTS  JUNCTION DIODE  LOW-RESISTANCE  HETEROSTRUCTURE  DEVICES   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES