机构

• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Growth of AlN single crystals on 6H-SiC (0001) substrates with AlN MOCVD buffer layer 期刊论文  OAI收割 CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 139 Zuo, SB; Wang, J; Chen, XL; Jin, SF; Jiang, LB; Bao, HQ; Guo, LW; Sun, W; Wang, WJ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 BULK ALUMINUM NITRIDE  SUBLIMATION GROWTH  OPTICAL-PROPERTIES  SEEDED GROWTH  NUCLEATION  EPITAXY  FILMS  GAN   Factors affecting the formation of misoriented domains in 6H-SiC single crystals grown by PVT method 期刊论文  OAI收割 CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 357 Peng, TH; Yang, H; Jian, JK; Wang, WJ; Wang, WY; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/09/17 SEEDED SUBLIMATION GROWTH  PHYSICAL VAPOR TRANSPORT  SILICON-CARBIDE  TEMPERATURE-GRADIENT  SIC POLYTYPES  BOULES  6H