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长春光学精密机械与物... [2]
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2021 [1]
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红外探测材料与器件 [1]
能源科学技术 [1]
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环保型SF6替代气体调研(2021)
研究报告
OAI收割
2021
作者:
孟欢欢
;
靳军宝
;
郑玉荣
;
白光祖
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2021/12/23
环保型
Sf6替代气体
六氟化硫气体质量在线检测和分析系统的设计及应用
期刊论文
OAI收割
大气与环境光学学报, 2017, 卷号: 012
作者:
袁小芳
;
马凤翔
;
赵跃
;
宋玉梅
;
王海飞
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/11/25
SF6气体质量
在线检测
检测效率
基于红外序列图像的SF_6检漏定位系统
会议论文
OAI收割
中国辽宁沈阳
作者:
毕国玲
;
赵建
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/19
检漏定位
红外序列图像
差分相乘
形态滤波
SF_6气体
基于红外图像的SF_6检漏定位系统
期刊论文
OAI收割
光电工程, 2011, 期号: 03, 页码: 76-80
作者:
隋龙
;
毕国玲
;
赵建
;
张艳超
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提交时间:2013/03/11
检漏定位
红外图像
帧间差分
局部熵差
SF6气体
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。