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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
会议论文
OAI收割
5th ieee international conference on group iv photonics, sorrento, italy, sep 17-19, 2008
作者:
Xue CL
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提交时间:2010/03/09
SIGE/SI(100) EPITAXIAL-FILMS
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS