机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fabrication and modulation characteristics of 1.3 mu m p-doped InAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: art. no. 085117 Ding Y; Fan WJ; Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhang DH; Zhao LJ; Wang W; Liu Y; Zhu NH 收藏  |  浏览/下载：72/25  |  提交时间：2010/03/08 SPEED SEMICONDUCTOR-LASERS  SINGLE-MODE VCSELS  TRANSMISSION  PERFORMANCE  RATIO