机构

• 物理研究所 [1]
• 武汉岩土力学研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2022 [1]
• 2012 [1]
• 2011 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Geology [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Internal Mechanism of Reducing Rockburst Proneness of Rock Under High Stress by Real-Time Drilling Pressure Relief 期刊论文  OAI收割 ROCK MECHANICS AND ROCK ENGINEERING, 2022, 卷号: 55, 期号: 8, 页码: 5063 作者:  Gong, Fengqiang;  He, Zhichao;  Jiang, Quan   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/08/02 High stress  Rockburst  Real-time drilling  Mechanical behaviors  Elastic strain energy  Drilling energy relief   Interface-confined mixing and buried partial dislocations for Ag bilayer on Pt(111) 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2012, 卷号: 86, 期号: 8 Ait-Mansour, K; Brune, H; Passerone, D; Schmid, M; Xiao, WD; Ruffieux, P; Buchsbaum, A; Varga, P; Fasel, R; Groning, O 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/18 STRAIN-RELIEF  SURFACE-DIFFUSION  C-60 MOLECULES  GROWTH  FILMS  AG/PT(111)  PATTERNS  NANOSTRUCTURES  NUCLEATION  NETWORK   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range