机构

• 金属研究所 [5]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2008 [1]
• 2000 [5]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692 H. Cheng; A. M. Wu; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 Ar flow rate  ECR-PECVD  Poly-Si  Thin Films  chemical-vapor-deposition  microcrystalline silicon  low-temperatures  plasma  growth  transition  hydrogen   Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Microstructure and mechanical properties of in situ Al-Mg(2)Sicomposites 期刊论文  OAI收割 Materials Science and Technology, 2000, 卷号: 16, 期号: 7-8, 页码: 913-918 J. Zhang; Z. Fan; Y. Q. Wang; B. L. Zhou 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/14 intermetallic mg2si-al alloys  strain-rate superplasticity  centrifugal  method  tensile-strength  al alloy  composites  solidification  gradient  silicon  growth   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   A numerical model for spacing selection of lamellar eutectics grown from flowing liquids 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 2, 页码: 263-271 W. Q. Zhang; H. Fu; Y. S. Yang; Z. Q. Hu 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/04/14 eutectic  lamellar spacing  fluid flow  model  growth rate  undercooling  rapid solidification conditions  irregular eutectics  forced-convection  pb-sn  al-si  systems  alloys