机构

• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 化学研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2015 [1]
• 2007 [1]
• 2004 [2]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Graphene-Silicon Layered Structures on Single-Crystalline Ir(111) Thin Films 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2015, 卷号: 2, 期号: 3 作者:  Que, Yande;  Zhang, Yong;  Wang, Yeliang;  Huang, Li;  Xu, Wenyan   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/04/09 Graphene-silicon  Intercalation  Ir(111)  Layered Structures  Single-crystalline Thin Films   Rhythmic growth-induced concentric ring-banded structures in poly(epsilon-caprolactone) solution-casting films obtained at the slow solvent evaporation 期刊论文  OAI收割 macromolecules, 2007, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 4381-4385 Wang ZB; Hu ZJ; Chen YZ; Gong YM; Huang HY; He TB 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/07/13 IN-SITU AFM  THIN-FILMS  POLY(TRIMETHYLENE TEREPHTHALATE)  ISOTACTIC POLYSTYRENE  CRYSTALLINE POLYMERS  EXTINCTION PATTERNS  SINGLE-CRYSTALS  PHASE-BEHAVIOR  SPHERULITES  BLENDS   Low-temperature synthesis and characterization of GaN nanocrystals from gallium trichloride precursor 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Research, 2004, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3484-3489 F. S. Liu; Q. L. Liu; J. K. Liang; G. B. Song; L. T. Yang; J. Luo; Y. Q. Zhou; H. W. Dong; G. H. Rao 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/14 chemical-vapor-deposition  single-crystalline gan  raman-scattering  phase epitaxy  thin-films  nitride  layers  nanowires  electron  nitrogen   Low-temperature synthesis and characterization of GaN nanocrystals from gallium trichloride precursor 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2004, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3484 Liu, FS; Liu, QL; Liang, JK; Song, GB; Yang, LT; Luo, J; Zhou, YQ; Dong, HW; Rao, GH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SINGLE-CRYSTALLINE GAN  RAMAN-SCATTERING  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  NITRIDE  LAYERS  NANOWIRES  ELECTRON  NITROGEN   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN