机构

• 高能物理研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [2]
• 2015 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• Chemistry;... [1]
• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in si crystal 期刊论文  iSwitch采集 Physica b-condensed matter, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Zhao, Mingshu;  Dong, Juncai;  Chen, Dongliang 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/04/23 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  Dft   Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Dong, JC;  Chen DL(陈栋梁);  Dong JC(董俊才);  Zhao, MS;  Chen, DL   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/08/27 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  DFT   Anharmonicity and local lattice distortion in strained Ge-dilute Si1-xGex alloy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 653, 页码: 117-121 作者:  Dong JC(董俊才);  Guo ZY(郭志英);  Zhang XL(张晓丽);  An PF(安鹏飞);  Gong Y(宫宇) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/18 Anharmonicity  Local lattice distortion  Substrate effect  Strain relaxation mechanism  Si1-xGex alloy   Oxygen segregation and Ge diffusion in annealed oxygen ion-implanted relaxed SiGe/Si heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2004, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 207-212 An, ZH; Zhang, M; Fu, RKY; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAIN RELAXATION  ELECTRON  MECHANISM  HYDROGEN  MOSFETS  LAYER