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长春光学精密机械与物... [1]
昆明植物研究所 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [1]
2016 [1]
2008 [1]
学科主题
Chemistry,... [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour
期刊论文
OAI收割
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:
B.Sun
;
T.Guo
;
G.D.Zhou
;
S.Ranjan
;
W.T.Hou
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2020/08/24
Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry
Current-voltage hysteresis of the composite MoS2-MoOx <= 3 nanobelts for data storage
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 页码: 47-53
作者:
Zhou, Guangdong
;
Zhao, Wenxi
;
Ma, Xiaoqing
;
Zhou, A. K.
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提交时间:2016/08/22
Data storage
Current-voltage hysteresis
Switching resistance memory
Ag filament
The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 15, 页码: 4638-4643
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Xu, C
;
Liang, S
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
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NEGATIVE RESISTANCE
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