机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2d electron gas and its distribution in inp-based high-electron-mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3677-3682 作者:  Li Dong-Lin;  Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Hemt  Heterojunction  Two dimentional electron gas  Self-consistent calculation   Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3677-3682 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  heterojunction  two dimentional electron gas  self-consistent calculation  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  TRANSPORT-PROPERTIES  QUANTUM-WELLS  HEMTS  FREQUENCY  DENSITY