机构

• 金属研究所 [1]
• 化学研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2011 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828 J. C. Sun; Q. J. Feng; J. M. Bian; D. Q. Yu; M. K. Li; C. R. Li; H. W. Liang; J. Z. Zhao; H. Qiu; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD  chemical-vapor-deposition  zinc-oxide  n-zno  nitrogen  films  fabrication  substrate   Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 UV ELECTROLUMINESCENCE  THIN-FILMS  ZNO   Langmuir-Blodgett films of long-chain alkoxy substituted poly(cyanoterephthalylidene)s 期刊论文  OAI收割 SYNTHETIC METALS, 2001, 卷号: 121, 期号: 1-3, 页码: 1391-1392 作者:  Liu, YQ;  Xu, Y;  Li, QL;  Zhu, DB;  Tian, F   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/09 Langmuir-blodgett Techniques  Atomic Force Microscopy  Electroluminescence  Uv-vis-nir Absorption