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长春光学精密机械与物... [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2009 [1]
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Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
OAI收割
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:
Fu, Y. H.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jiang, K.
;
Jia, Y. P.
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提交时间:2019/09/17
GaN
MOCVD
Defects
V-Pits
raman-scattering
quantum-wells
nitrides
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Influence of penetrating v-pits on leakage current of gan based p-i-n uv detector
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:
Zhang Shuang
;
Zhao De-Gang
;
Liu Zong-Shun
;
Zhu Jian-Jun
;
Zhang Shu-Ming
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提交时间:2019/05/12
Gan
Uv detector
V-pits
Leakage current