机构

• 中国科学院大学 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Oxidation precursor dependence of atomic layer deposited al2o3 films in a-si:h(i)/al2o3 surface passivation stacks 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2015, 卷号: 10, 期号: 1 作者:  Xiang,Yuren;  Zhou,Chunlan;  Jia,Endong;  Wang,Wenjing 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/05/09 Atomic layer deposition  Al2o3  A-si:h(i)/al2o3 stack  Interface trap density   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：95/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON