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材料科学与物理化学 [1]
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共7条,第1-7条
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Ar-O
2
Plasma-Induced Grafting of Quaternary Ammonium on Polyvinyl Chloride Surface to Improve its Antimicrobial Properties
期刊论文
OAI收割
PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING, 2024
作者:
Siyuan, Sui
;
Guohua, Ni
;
Hongmei, Sun
;
Ling, Kong
;
Tao, Sun
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2024/11/22
Polyvinyl chloride
Plasma
Ar-O-2
Quaternary ammonium
Antibacterial
Staphylococcus aureus
Using triple oxygen isotopes and oxygen-argon ratio to quantify ecosystem production in the mixed layer of northern South China Sea slope region
CNKI期刊论文
OAI收割
2021
作者:
Zhuoyi Zhu
;
Jun Wang
;
Guiling Zhang
;
Sumei Liu
;
Shan Zheng
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2024/12/18
gross primary production
net community production
triple oxygen isotopes
O_2/Ar
air-sea gas flux
piston velocity
Using triple oxygen isotopes and oxygen-argon ratio to quantify ecosystem production in the mixed layer of northern South China Sea slope region
期刊论文
OAI收割
ACTA OCEANOLOGICA SINICA, 2021, 页码: 15
作者:
Zhu, Zhuoyi
;
Wang, Jun
;
Zhang, Guiling
;
Liu, Sumei
;
Zheng, Shan
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收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2021/06/24
gross primary production
net community production
triple oxygen isotopes
O-2
Ar
air-sea gas flux
piston velocity
Principles Giving High Penetration under the Double Shielded TIG Process
期刊论文
OAI收割
Journal of Materials Science & Technology, 2014, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 172-178
D. J. Li
;
S. P. Lu
;
D. Z. Li
;
Y. Y. Li
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2014/03/14
Marangoni convection
Penetration
Tungsten inert gas (TIG)
Arc
Oxide
gas tungsten arc
gta weld shape
oxide fluxes
mechanism
ar-o-2
iron
Low temperature preparation of transparent, antireflective TiO2 films deposited at different O-2/Ar ratios by microwave electron cyclotron resonance magnetron sputtering
期刊论文
OAI收割
Vacuum, 2012, 卷号: 86, 期号: 9, 页码: 1387-1392
作者:
Du W(杜雯)
;
Ye YP(冶银平)
;
Li HX(李红轩)
;
Zhao F(赵飞)
;
Ji L(吉利)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2013/07/12
Titanium oxide thin film
MW-ECR
O-2/Ar ratio
Antireflection
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。