机构

• 新疆理化技术研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
• 2012 [1]

学科主题

• Physics [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 floating body effect  hysteresis effect  back gate bias  partially depleted (PD) SOI