机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2000 [2]
• 1996 [1]
• 1995 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• Applied; P... [1]
• Condensed ... [1]
• Materials ... [1]
• Multidisci... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Hardness and elastic properties of covalent/ionic solid solutions from first-principles theory 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8 Q. M. Hu; K. Kadas; S. Hogmark; R. Yang; B. Johansson; L. Vitos 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/04/13 cubic silicon-nitride  ab-initio  mechanical-properties  potential  model  alloys  metal  films  tin  approximation  stability   Predicting hardness of covalent/ionic solid solution from first-principles theory 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 12 Q. M. Hu; K. Kadas; S. Hogmark; R. Yang; B. Johansson; L. Vitos 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/04/13 cubic silicon-nitride  superhard materials  potential model  metal  approximation  alloys   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Field-ionization source induced phase transition from hBN to cBN during pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1996, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: 11-18 Xin,HP; Shi,XH; Lin,CL; Xu,WP; Zheng,LR; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/25 CUBIC BORON-NITRIDE  STRESS-INDUCED FORMATION  THIN-FILMS  SILICON  DIAMOND  BN   INTERFACE STUDY OF HETEROEPITAXIAL DIAMOND FILMS ON SILICON(001) SUBSTRATES 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 1995, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 2264 FENG, KA; YANG, J; LIN, ZD 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC BORON-NITRIDE  100 SILICON  GROWTH