机构

• 半导体研究所 [2]
• 武汉岩土力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2004 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Photoluminescence properties of Er-doped Ge-In(Ga)-S glasses modified by caesium halides 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2017, 卷号: 254, 期号: 6, 页码: - 作者:  Reinfelde, Mara   |  收藏  |   Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |   1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786 Liang JJ; Chen WD; Wang YQ; Chang Y; Wang ZG 收藏  |