机构

• 力学研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2015 [1]

学科主题

• Materials ... [1]
• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   Effect of thermal annealing on the structural, electrical and optical properties of Al-Ni co-doped ZnO thin films prepared using a sol-gel method 期刊论文  OAI收割 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 261, 页码: 149-155 作者:  Zhang XL;  Hui KS;  Bin F;  Hui KN;  Li L 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2015/03/17 Al-Ni co-doped ZnO  Annealing temperature  Sol-gel method  Forming gas