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机构
金属研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 25, 页码: art. no. 252905
作者:
Zhang XW
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提交时间:2010/03/08
high-k dielectric thin films
MOS capacitors
work function
Phase separation enhanced interfacial reactions in complex high-k dielectric films
期刊论文
OAI收割
Integrated Ferroelectrics, 2006, 卷号: 86, 页码: 13-19
X. Y. Qiu
;
F. Gao
;
H. W. Liu
;
J. S. Zhu
;
J. M. Liu
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提交时间:2012/04/14
phase separation
interfacial reaction
high-k dielectric film
pulsed-laser deposition
silicate thin-films
thermal-stability
gate
property
hfo2