机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文  OAI收割 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Sun, GS; Ning, J; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：221/60  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC  LPCVD homoepitaxial growth  thermal oxidization  MOS structures  HOT-WALL CVD