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	Optical properties of self-assembled inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness 期刊论文 iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者: Lei, W; Chen, YH; Wang, YL; Huang, XQ; Zhao, C 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2019/05/12 Defects Lateral composition modulation Photoluminescence Molecular beam epitaxy Quantum wires Semiconductor iii-v material
	Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者: Jin P; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：68/0 \| 提交时间：2010/04/11 defects lateral composition modulation photoluminescence molecular beam epitaxy quantum wires semiconductor III-V material DOTS HETEROSTRUCTURES INALAS/INP(001) SPECTROSCOPY WAVELENGTH INP(001)